하반기 메모리 가격은 예상보다 더 좋을 것

핵심 요약

• 상반기 급등 후 하반기 가격상승률 급감 예상이 지배적이나, 공급사 재고 바닥권 및 공급 부족 지속으로 3분기 DRAM QoQ +15~25%, NAND QoQ +20~25% 상승 예상—시장 기대치(DRAM +3~8%, NAND +8~13%)를 크게 상회.
• 삼성전자 P4L, SK하이닉스 M15X 램프업은 실질적으로 HBM 수요 대응이며, PC·모바일·서버용 DDR5 등 범용 메모리 공급 부족은 해소 곤란. 본격 공급 증가(삼성 P5, SK Y1 램프업)는 2028년 상반기로 예상.
• 메모리 메이커들이 1Q26 급등을 고려해 2Q 인상폭을 전략적으로 제한 후 하반기 높은 수준의 가격 인상을 추진 중—2026~2027년은 수요 강한 가운데 범용 메모리 공급 증가 제한 구간.
• 내년 HBM 가격협상 진행 중으로, HBM 수익성이 범용 메모리를 재역전할 것으로 예상. 3분기부터 HBM4 본격 출하로 높은 가격대 실현 가능—메모리 메이커 매출 확대 기여.
• 주요 AI·서버 고객과의 장기공급계약(LTA) 확대가 향후 공급 증가 시에도 ASP 하방을 방어—과거와 달리 극심한 이익 변동성 완화 가능성 높음. 관전포인트는 메모리 메이커들의 실제 3분기 가격 인상 규모 및 HBM4 출하량 모멘텀.