웨이퍼 워피지로 인한 메모리 반도체 수율 저..

핵심 요약

• HBM4·NAND에서 웨이퍼 워피지 수율 저하 심화, SEC·SKH·Micron 3사 모두 영향권
• HBM4는 다이 박형화·TSV 고밀도화로 워피지 HBM3E 대비 구조적으로 더 취약
• NAND 200단 이상 고단화 시 박막 응력 누적으로 워피지 급격히 악화
• BSD 장비 수요: NAND 2.5~3K당 1대, DRAM/HBM 5~7K당 1대 — 메모리 증설 일정 앞당겨지며 수혜 확대
• BSD는 HBM·NAND·로직 전 분야로 채용 확산 전망, 반도체 고도화의 핵심 워피지 제어 솔루션으로 부상